ag(中国)手机网 国产3D DRAM新打破！中科院微电子所竣事4层堆叠IGZO存储

发布日期：2026-06-21 02:17    点击次数：133

快科技6月20日音尘，中国科学院微电子商榷所集成电路制造时间宇宙要点执行室团队皆集北京超弦存储器商榷院，在IGZO 2T0C 3D DRAM鸿沟获取谬误打破，初次竣事4层堆叠3D 2T0C存储单位。

AI与高性能野心期骗对高容量、高带宽存储需求激增，传统SRAM受6T结构限度难以竣事大容量，片外DRAM则因探询蔓延较高无法安闲高带宽需求。

IGZO 2T0C架构可后说念集成于逻辑芯片，被视为兼顾大容量与高带宽的灵验决策，ag手机网页版但此前商榷仅限于平面与垂直4F²架构。

针对这一挑战，该团队建议基于2T0C单位结构的3D DRAM单步多层堆叠决策。新式3D DRAM收受垂直字线架构和双栅2T0C单位瞎想，具有高读取裕度、矜重双栅读取抵制和低制备资本等上风。基于双栅调控的IGZO晶体管竣事了优异性能和高矜重性。

所制备的3D 2T0C单位兼具高速写入与长数据保捏智商，并成效竣事多值存储，大幅升迁存储密度。

关系商榷后果论文《Highly stackable 3D DRAM of Dual-gate IGZO 2T0C with Record 3 bits/cell and 400s Data Retention》已被VLSI 2026收录。

微电子所博士后廖福锡、北京超弦存储器商榷院朱正勇商榷员为第一作家，微电子所李泠商榷员、杨冠华副商榷员、北京超弦存储器商榷院赵超商榷员为共同通信作家。

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